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采用 CMOS 工艺制造;外围电路元件少;高音和低音控制;带有响度功能;3 组立体声输入,输入放大增益可调节;可降低输入和输出端与系统、均衡器间的噪声;可对 4 个独立的扬声器进行通道均衡、衰减处理控制;独立的静音功能;音量控制:1.25dB/步;低失真;低噪声和直流漂移;通过串行 I²C 总线的微处理器接口来控制;SOP28/DIP28 封装兼容 TDA7313、PT2313
采用 CMOS 工艺制造;外围电路元件少;高音和低音控制;带有响度功能;4 组立体声输入,输入放大增益可调节;可降低输入和输出端与系统、均衡器间的噪声;可对 4 个独立的扬声器进行通道均衡、衰减处理控制;独立的静音功能;音量控制:1.25dB/步;低失真;低噪声和直流漂移;通过串行 I²C 总线的微处理器接口来控制;SOP32 封装兼容 TDA7312、PT2312
电路内置预定标器,输入频率范围在 FMIN 输入时为10~160MHz ,在 AMIN 输入时为0.5~40MHz 。12 种基准频率 ( 晶振为 4.5MHz 或 7.2 MHz) 。1, 3, 5, 9, 10, 3.125, 6.25, 12.5, 15, 25, 50 和100 kHz 。电路内置 20 位通用计数器,用来测量中频频率 (IF) ,IF 输入频率范围为 0.4M~12MHz 。电路有一个未锁定检测电路,一个死区控制电路和一个死锁清除电路。内置 MOS 晶体管,形成一个有效的低通滤波器。4 个 N- 沟道开漏输出端口 ( 关闭耐压: 13V)  和 2 个输入或输出端口。串行数据输入 / 输出端口—  通过 4 根串行总线控制所有的功能
采用 CMOS 工艺制造;外围电路元件少;高音和低音控制;带有响度功能;4 组立体声输入,输入放大增益可调节;可降低输入和输出端与系统、均衡器间的噪声;可对 2 个独立的扬声器进行通道均衡、衰减处理控制;独立的静音功能;音量控制:1.25dB/步;低失真;低噪声和直流漂移;通过串行 I²C 总线的微处理器接口来控制;SOP28 封装兼容 TDA7314、PT2314
TM7715:1 个全差分输入通道的 ADC16 位无丢失代码0.003%非线性可编程增益前端增益:1,2,32 和 128三线串行接口有对模拟输入缓冲的能力2.7~3.3V 或 4.75~5.25V 工作电压3V 电压时,最大功耗为 1mW等待电流的最大值为 8μA16 脚 DIP、SOIC 和 TSSOP 封装
2 对全差分输入通道的 ADC24 位无丢失代码0.003%非线性增益 16/128 可选二线串行接口2.7~3.3V 或 4.75~5.25V 工作电压晶振和内部振荡器可选封装形式:SOP14 /DIP14
TM7706:3 个伪差分输入通道的 ADC16 位无丢失代码0.003%非线性可编程增益前端增益:1~128三线串行接口有对模拟输入缓冲的能力2.7~3.3V 或 4.75~5.25V 工作电压3V 电压时,最大功耗为 1mW等待电流的最大值为 8μA16 脚 DIP、SOIC 和 TSSOP 封装
TM7705:2个全差分输入通道的ADC16位无丢失代码0.003%非线性可编程增益前端增益:1~128三线串行接口有对模拟输入缓冲的能力2.7~3.3V或4.75~5.25V工作电压3V电压时,最大功耗为1mW等待电流的最大值为8μA16脚DIP、SOIC(宽体) 、TSSOP、SOP和SSOP封装
采用CMOS工艺自动识别边沿输入、交流输入两种采样方式,兼容性更强2路输出控制,可实现最多4种状态照明模式小夜灯模式选择,可输出2%PWM占空比亮度,2K频率输出,人眼不会感觉闪烁封装形式:SOP8、DIP8
成本最低、元件数目最少的降压型(BUCK)转换器方案支持降压(Buck)、降压-升压(Buck-Boost)、升压(Boost)高功率密度 - 体积。?扌 uF 级的输入电容高效率 - 对于12V 输出,典型满载效率70%高功率因数 - 输入无电解电容相对于电容降压式方案其功率因数更高内置有抖频功能的固定频率振荡器,可以降低EMI可以完全实现电源的SMD生产完善的故障保护(过载、短路及过热保护)
低启动电流和工作电流内置前沿消隐(LEB)内置峰值电流补偿和同步斜坡补偿内置抖频功能可以降低EMI内置软启动功能逐周期限制电流异常情况过流保护过压、欠压、开环、过载、过温、输出短路等保护采用DIP8封装
低启动电流和工作电流内置前沿消隐(LEB)内置峰值电流补偿和同步斜坡补偿内置抖频功能可以降低EMI内置软启动功能逐周期限制电流异常情况过流保护过压、欠压、开环、过载、过温、输出短路等保护采用DIP8和SOP8封闭
采用功率CMOS 工艺显示模式 16 段×8 位辉度调节电路(占空比8 级可调)串行接口(CLK,STB,DIO)振荡方式:RC 振荡(450KHz+5%)内置上电复位电路采用SOP32封装
扫描(8×2bit)辉度调节电路(占空比8 级可调)串行接口(CLK,STB,DIN,DOUT)振荡方式:内置RC 振荡(450KHz+采用功率CMOS 工艺多种显示模式(10 段×7 位 ~ 13 段×4 位)键扫描(8×2bit)辉度调节电路(占空比8 级可调)串行接口(CLK,STB,DIN,DOUT)振荡方式:内置RC 振荡(450KHz+5%)内置上电复位电路封装形式:SOP28
采用功率CMOS 工艺显示模式(7 段×4 位)辉灰度调节电路(占空比8级可调)串行接口(CLK,STB,DIN)振荡方式:内置RC 振荡(450KHz+5%)内置上电复位电路封装形式:SOP16、DIP16
采用功率CMOS  工艺显示模式(7 字段×4  位), 支持共阳数码管输出键扫描(7×1bit ),增强型抗干扰按键识别电路辉度调节电路(占空比 8  级可调)串行接口(CLK ,DIO )振荡方式:内置RC  振荡(450KHz+5% )内置上电复位电路内置自动消隐电路封装形式:DIP16/SOP16