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采用CMOS工艺自动识别边沿输入、交流输入两种采样方式,兼容性更强2路输出控制,可实现最多4种状态照明模式小夜灯模式选择,可输出2%PWM占空比亮度,2K频率输出,人眼不会感觉闪烁封装形式:SOP8、DIP8
成本最低、元件数目最少的降压型(BUCK)转换器方案支持降压(Buck)、降压-升压(Buck-Boost)、升压(Boost)高功率密度 - 体积。?扌 uF 级的输入电容高效率 - 对于12V 输出,典型满载效率70%高功率因数 - 输入无电解电容相对于电容降压式方案其功率因数更高内置有抖频功能的固定频率振荡器,可以降低EMI可以完全实现电源的SMD生产完善的故障保护(过载、短路及过热保护)
低启动电流和工作电流内置前沿消隐(LEB)内置峰值电流补偿和同步斜坡补偿内置抖频功能可以降低EMI内置软启动功能逐周期限制电流异常情况过流保护过压、欠压、开环、过载、过温、输出短路等保护采用DIP8封装
低启动电流和工作电流内置前沿消隐(LEB)内置峰值电流补偿和同步斜坡补偿内置抖频功能可以降低EMI内置软启动功能逐周期限制电流异常情况过流保护过压、欠压、开环、过载、过温、输出短路等保护采用DIP8和SOP8封闭
简单的开/关控制,无需环路补偿严格的I²f参数公差范围降低系统成本- 高效利用MOSFET及磁芯材料的功率输出能力- 降低了最大过载功率,从而降低变压器、初级箝 位及次级元件的成本导通时间延长-更低输入电压下维持输出的稳定/维持时间,可以使用更低容量的输入电解电容自偏置:无需偏置绕组或偏置元件频率抖动降低EMI滤波成本引脚布局简化了PCB板上的散热铺铜的设计源极引脚为“电气”上的安静点, 从而降低了EMI精确的迟滞热关断保护并具备自动恢复功能,无需人工重新置位改善的自动重启动功能在短路及开环故障状况下实现可选择使用Zener实现输出过压关断可选择使用一个电阻来设置输入欠压保护阈值元件数目很少,增强可靠性及实现单面印刷电路板的布局高带宽提供快速的无过冲启动及出色的瞬态负载响应在265VAC输入时,无偏置绕组下的空载能耗开/关控制可在极轻负载时具备恒定的效率-是达到强制性CEC标准及1W待机要求的理想选择封装形式:DIP8
低启动电流和工作电流内置前沿消隐(LEB)内置峰值电流补偿和同步斜坡补偿内置抖频功能可以降低EMI内置软启动功能逐周期限制电流空载或轻载时采用降频和跳周期工作模式减少损耗异常情况过流保护过压、欠压、开环、过载、过温、输出短路等保护
±5%的输出电流精度,±5%的输出电压精度原边反馈省去了光耦和 TL431 以降低成本提供 CV 模式,CC 模式两种工作模式可调恒流输出电源设置二次恒定输出电流控制与初级反馈自适应电流峰值调节原边绕组电感补偿输出线电压补偿内置软启动功能前沿消隐电路(LEB)逐周期电流限制VDD 欠压保护功能(UVLO)VDD 过压保护功能(OVP)VDD 钳位功能过温保护功能
低启动电流和工作电流内置前沿消隐(LEB)内置峰值电流补偿和同步斜坡补偿内置抖频功能可以降低 EMI逐周期限制电流空载或轻载时降频和跳周期工作模式异常过流保护过压、欠压、开环、过载、过温、输出短路等保护;
通用电压输入 - 同一电源/产品可在全球范围内使用高功率密度 - 体积。?扌?#181;F级的输入电容高效率 - 对于12 V输出,典型满载效率75%极好的输入电压调整率及负载调整率很高的轻载效率 - 开/关控制方式即使在轻载时也维持很高的效率高效节能 - 空载时的输入功率可以完全实现电源的SMD生产更加坚固,适于机械跌落测试完善的故障保护(过载、短路及过热保护)升级方便TMI13XX产品系列允许使用相同的基本设计实现小于50 mA至360 mA的输出
低启动电流和工作电流内置前沿消隐(LEB)内置峰值电流补偿和同步斜坡补偿内置抖频功能可以降低EMI逐周期限制电流空载或轻载时采用降频和跳周期工作模式减少损耗异常情况过流保护过压、欠压、开环、过载、过温、输出短路等保护