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CS7208S 是一款专为 LED 照明设计的恒流驱动芯片,应用于非隔离的降压型 LED电源系统。它内部集成500V功率MOSFET,并且采用先进的恒流控制方法和源极驱动技术,只需要很少的外围元件就可以达到优异的恒流特性,系统成本低,效率高。
内部集成 600V 功率管原边反馈恒流控制,无需次级反馈电路±3%的输出电流精度芯片超低工作电流,功耗低FB 反馈电阻高,功耗低宽输入电压LED 短路/开路保护欠压保护FB 对地短路保护CS 采样电阻开路保护过温保护无需环路补偿
电感电流临界连续模式内部集成 500V 功率管无需辅助绕组检测和供电芯片超低工作电流宽输入电压±5% LED 输出电流精度LED 开路保护LED 短路保护CS 电阻短路保护芯片供电欠压保护过热调节功能采用 DIP-8 封装
原边反馈恒流控制,无需次级反馈电路±2%的输出电流精度小体积 SOT23-5 封装芯片超低工作电流,功耗低FB 反馈电阻高,功耗低85Vac~264Vac 宽输入电压LED 短路/开路保护欠压保护FB 对地短路保护CS 采样电阻开路保护过温保护无需环路补偿
电感电流临界连续模式内部集成 500V 功率管无需辅助绕组检测和供电芯片超低工作电流宽输入电压±5% LED 输出电流精度LED 开路保护LED 短路保护CS 电阻短路保护芯片供电欠压保护过热调节功能采用 SOP-8 封装
内部集成 600V 功率管原边反馈恒流控制,无需次级反馈电路无需变压器辅助绕组检测和供电芯片超低工作电流宽输入电压±5% LED 输出电流精度LED 短路/开路保护原边过流保护芯片供电欠压保护过温保护采用 SOP-8 封装
内部集成 650V 功率管原边反馈恒流控制,无需次级反馈电路无需变压器辅助绕组检测和供电LED 开路电压可通过外部电阻调整芯片超低工作电流宽输入电压±6% LED 输出电流精度LED 短路/开路保护CS 电阻短路保护芯片供电欠压保护过热调节功能采用 SOP-8 封装
内部集成 650V 功率管原边反馈恒流控制,无需次级反馈电路无需变压器辅助绕组检测和供电芯片超低工作电流宽输入电压±5% LED 输出电流精度LED 短路/开路保护CS 电阻短路保护芯片供电欠压保护过温保护采用 SOP-8 封装
内部集成 650V 功率管原边反馈恒流控制,无需次级反馈电路无需变压器辅助绕组检测和供电LED 开路电压可通过外部电阻调整芯片超低工作电流宽输入电压±6% LED 输出电流精度LED 短路/开路保护CS 电阻短路保护芯片供电欠压保护过热调节功能采用 SOP-8 封装
内部集成 650V 功率管原边反馈恒流控制,无需次级反馈电路无需变压器辅助绕组检测和供电LED 开路电压可通过外部电阻调整芯片超低工作电流宽输入电压±5% LED 输出电流精度LED 短路/开路保护CS 电阻短路保护芯片供电欠压保护过热调节功能采用 DIP-8 封装
1, 燈珠型號:  5050RGB-8脚2, IC 型號: TM19143, IC 數量: 30 pc/m4,燈珠數量:30 燈/m5, 電壓:DC5V6, 功率:9 w/m7, 板子颜色:黑白8, 灯珠颜色: 白、黑9, 尺寸: 5000*10mm包裝: 5 m/卷, 1 燈/切10, 防水处理:裸板,滴胶,套管,灌胶
1, 燈珠型號:  5050RGB-8脚2, IC 型號: TM19143, IC 數量: 60 pc/m4,燈珠數量:60 燈/m5, 電壓:DC5V6, 功率:18 w/m7, 板子颜色:黑白8, 灯珠颜色: 白、黑9, 尺寸: 5000*10mm包裝: 5 m/卷, 1 燈/切10,防水处理:裸板,滴胶,套管,灌胶
1, 燈珠型號:  5050RGB2, IC 型號: TM1914 3, IC 數量: 10 pc/m 4,燈珠數量:30燈/m 5, 電壓:DC12V 6, 功率:23 w/m 7, 板子颜色:黑白 8, 灯珠颜色: 白、黑 9, 尺寸: 5000*10mm 10,防水处理:裸板,滴胶,套管,灌胶
1, 燈珠型號:  5050RGB2, IC 型號: TM1914 3, IC 數量: 20 pc/m 4,燈珠數量:60 燈/m 5, 電壓:DC12V 6, 功率:29 w/m 7, 板子颜色:黑白 8, 灯珠颜色: 白、黑 9, 尺寸: 5000*10mm 10,防水处理:裸板,滴胶,套管,灌胶
1, 燈珠型號:  5050RGB-8脚2, IC 型號: TM19143, IC 數量: 30 pc/m4,燈珠數量:30 燈/m5, 電壓:DC5V6, 功率:9 w/m7, 板子颜色:黑白8, 灯珠颜色: 白、黑9, 尺寸: 5000*10mm包裝: 5 m/卷, 1 燈/切10, 防水处理:裸板,滴胶,套管,灌胶
1, 燈珠型號:  5050RGB-8脚2, IC 型號: TM19143, IC 數量: 60 pc/m4,燈珠數量:60 燈/m5, 電壓:DC5V6, 功率:18 w/m7, 板子颜色:黑白8, 灯珠颜色: 白、黑9, 尺寸: 5000*10mm包裝: 5 m/卷, 1 燈/切10,防水处理:裸板,滴胶,套管,灌胶
1, 燈珠型號:  5050RGB2, IC 型號: TM1914 3, IC 數量: 10 pc/m 4,燈珠數量:30燈/m 5, 電壓:DC12V 6, 功率:23 w/m 7, 板子颜色:黑白 8, 灯珠颜色: 白、黑 9, 尺寸: 5000*10mm 10,防水处理:裸板,滴胶,套管,灌胶
1, 燈珠型號:  5050RGB2, IC 型號: TM1914 3, IC 數量: 20 pc/m 4,燈珠數量:60 燈/m 5, 電壓:DC12V 6, 功率:29 w/m 7, 板子颜色:黑白 8, 灯珠颜色: 白、黑 9, 尺寸: 5000*10mm 10,防水处理:裸板,滴胶,套管,灌胶
CS40N20 A8 the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. The package form is TO-220AB, which accords with the RoHS standard.
CS630 A8H, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. The package form is TO-220AB, which accords with the RoHS standard.
CS40N20 A8 the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. The package form is TO-220AB, which accords with the RoHS standard.
CS630 A8H, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. The package form is TO-220AB, which accords with the RoHS standard.
CS640 A8H, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. The package form is TO-220AB, which accords with the RoHS standard.